[¸éÁ¢] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º
(¸®´º¾ó) [¸éÁ¢] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º
- ¼±»ý´Ô±èµ¿¹Î
- ¼ö°±â°£30ÀÏ
- °ÀǼö8°
-
±³Àç¸í
±³¾È (¸¶ÀÌÆäÀÌÁö ³» PDFÆÄÀÏ Á¦°ø)
½±°í ºü¸£°Ô ÀÌÇØÇÏ´Â ¹ÝµµÃ¼ Á÷¹« °ÀÇ! [¸éÁ¢] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º
¾à·Â
- (Çö) ÇØÄ¿½ºÀ⠹ݵµÃ¼ Àü°ø ÀüÀÓ°»ç
- (Çö) ÇØÄ¿½º°ø±â¾÷ NCS Á÷¾÷±âÃÊ´É·Â ¹× Á÷¹«Àû¼º´É·Â ÀüÀÓ°»ç
- °ø°ø±â°ü ä¿ëÁ¤º¸ ¹Ú¶÷ȸ 2ȸ °ø½Ä Ãʺù°»ç
- ±ÝÀ¶±Ç °øµ¿Ã¤¿ë¹Ú¶÷ȸ 2ȸ NCS Á÷¾÷±âÃÊ´É·Â Ãʺù°»ç
- »ï¼ºÄÚ´× ±Ù¹«
- °æºÏ´ë, °æÈñ´ë, ¼°´ë, ¼º±Õ°ü´ë, ÀÎõ´ë, Áß¾Ó´ë, Çѱ¹¿Ü´ë µî
¡¡20¿© °³ ´ëÇÐ Ãë¾÷ Ư° ÁøÇà
<Àú¼>
- ÇØÄ¿½º°ø±â¾÷ PSAT ±âÃâ·Î ³¡³»´Â ¹®Á¦ÇØ°á ÀÚ¿ø°ü¸® ÁýÁß °ø·«(2023)
- ´Ü±â ÇÕ°Ý ÇØÄ¿½º°ø±â¾÷ NCS ÅëÇÕ ±âº»¼
¡¡Á÷¾÷±âÃÊ´É·ÂÆò°¡+Á÷¹«¼öÇà´É·ÂÆò°¡(2023)
- ÇØÄ¿½º°ø±â¾÷ NCS ÅëÇÕ ºÀÅõ¸ðÀÇ°í»ç
¡¡¸ðµâÇü/ÇǵâÇü/PSATÇü+Àü°ø(2022)
- ÇØÄ¿½º ÇÑ ±ÇÀ¸·Î ³¡³»´Â °ø±â¾÷ ±âÃâ ÀϹݻó½Ä(2022)
ÀÌ°ø°è Àü¹®°¡
¼ö°´ë»ó
- ´ë±â¾÷ Àü°ø °ü·Ã ¸éÁ¢À» Àü·«ÀûÀ¸·Î ÁغñÇÏ°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ
- ¹ÝµµÃ¼ °ü·Ã ´ë±â¾÷ ÀԻ縦 ¸ñÇ¥·Î ÇϽô ºÐ
- ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Àü¹ÝÀûÀÎ °³³äÀ» ½ÇÀü¿¡ ºü¸£°Ô Àû¿ëÇÏ´Â ¹æ¹ýÀ» ¹è¿ì°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ
°ÀǸñÂ÷
°ÀǸí |
[¸éÁ¢] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º | |||||
¸ñÂ÷ |
³»¿ë | ½Ã°£ | ||||
Á¦ 1 ° |
Energy band¿Í ¿ÜºÎ Àü¾Ð¿¡ µû¸¥ p-n junctionÀÇ º¯È | 23ºÐ | ||||
Á¦ 2 ° |
MOSFET (1) | 28ºÐ | ||||
Á¦ 3 ° |
MOSFET (2) | 21ºÐ | ||||
Á¦ 4 ° |
¹ÝµµÃ¼ 8´ë °øÁ¤ : °øÁ¤ È帧¿¡ µû¸¥ MOSFET Á¦ÀÛ °úÁ¤ | 17ºÐ | ||||
Á¦ 5 ° |
Photolithography °øÁ¤ ¼¼ºÎ ³»¿ë | 25ºÐ | ||||
Á¦ 6 ° |
Deposition °øÁ¤ ¼¼ºÎ ³»¿ë | 26ºÐ | ||||
Á¦ 7 ° |
Etching °øÁ¤ ¼¼ºÎ ³»¿ë / Plasma | 21ºÐ | ||||
Á¦ 8 ° |
Memory ¹ÝµµÃ¼ : NAND Flash / Ram | 22ºÐ |
¼ö°Èıâ
- ¼ö°·á
- 39,000¿ø