[Á¾ÇÕ] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º (ÀÔ¹®+±âº»)
¿­±â Æйи®»çÀÌÆ®

[Á¾ÇÕ] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º (ÀÔ¹®+±âº»)

°­ÀÇÀ̹ÌÁö

(¸®´º¾ó) [Á¾ÇÕ] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º (ÀÔ¹®+±âº»)

  • ÀÌ°ø°è
  • ÀÌ°ø°è
  • ±èµ¿¹Î
    • ¼±»ý´Ô±èµ¿¹Î
    • ¼ö°­±â°£30ÀÏ
    • °­ÀǼö27°­
    • ±³Àç¸í
      ±³¾È (¸¶ÀÌÆäÀÌÁö ³» PDFÆÄÀÏ Á¦°ø)
    [Á¾ÇÕ] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º (ÀÔ¹®+±âº»)
    ¼ö°­·á 98,000¿ø 89,000¿ø Æ÷ÀÎÆ®890Á¡

    ½±°í ºü¸£°Ô ÀÌÇØÇÏ´Â ¹ÝµµÃ¼ Á÷¹« °­ÀÇ! [Á¾ÇÕ] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º (ÀÔ¹®+±âº»)

    ±èµ¿¹Î ¼±»ý´Ô

    ¾à·Â - (Çö) ÇØÄ¿½ºÀ⠹ݵµÃ¼ Àü°ø ÀüÀÓ°­»ç
    - (Çö) ÇØÄ¿½º°ø±â¾÷ NCS Á÷¾÷±âÃÊ´É·Â ¹× Á÷¹«Àû¼º´É·Â ÀüÀÓ°­»ç
    - °ø°ø±â°ü ä¿ëÁ¤º¸ ¹Ú¶÷ȸ 2ȸ °ø½Ä Ãʺù°­»ç
    - ±ÝÀ¶±Ç °øµ¿Ã¤¿ë¹Ú¶÷ȸ 2ȸ NCS Á÷¾÷±âÃÊ´É·Â Ãʺù°­»ç
    - »ï¼ºÄÚ´× ±Ù¹«
    - °æºÏ´ë, °æÈñ´ë, ¼­°­´ë, ¼º±Õ°ü´ë, ÀÎõ´ë, Áß¾Ó´ë, Çѱ¹¿Ü´ë µî
    ¡¡20¿© °³ ´ëÇÐ Ãë¾÷ Ư°­ ÁøÇà
    <Àú¼­>
    - ÇØÄ¿½º°ø±â¾÷ PSAT ±âÃâ·Î ³¡³»´Â ¹®Á¦ÇØ°á ÀÚ¿ø°ü¸® ÁýÁß °ø·«(2023)
    - ´Ü±â ÇÕ°Ý ÇØÄ¿½º°ø±â¾÷ NCS ÅëÇÕ ±âº»¼­
    ¡¡Á÷¾÷±âÃÊ´É·ÂÆò°¡+Á÷¹«¼öÇà´É·ÂÆò°¡(2023)
    - ÇØÄ¿½º°ø±â¾÷ NCS ÅëÇÕ ºÀÅõ¸ðÀÇ°í»ç
    ¡¡¸ðµâÇü/ÇǵâÇü/PSATÇü+Àü°ø(2022)
    - ÇØÄ¿½º ÇÑ ±ÇÀ¸·Î ³¡³»´Â °ø±â¾÷ ±âÃâ ÀϹݻó½Ä(2022)

    ÇØÄ¿½ºÀâ ´ëÇ¥
    ÀÌ°ø°è Àü¹®°¡
    ¹ÝµµÃ¼°¡ ½¬¿öÁø´Ù! Á¤´äÀÌ º¸ÀÌ´Â ¹ÝµµÃ¼

    ¼ö°­´ë»ó

    • ´ë±â¾÷ Àü°ø ½ÃÇèÀ» ÁغñÇϱâ À§ÇØ Àü·«ÀûÀ¸·Î ÁغñÇÏ°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ
    • ¹ÝµµÃ¼ °ü·Ã ´ë±â¾÷ ÀԻ縦 ¸ñÇ¥·Î ÇϽô ºÐ
    • ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Àü¹ÝÀûÀÎ °³³äºÎÅÍ ½ÉÈ­±îÁö Çѹø¿¡ ¹è¿ì°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ
    • ¹ÝµµÃ¼ ¿ø¸®¸¦ ÅëÇØ ¾Ï±â°¡ ¾Æ´Ñ ºü¸£°í ½±°Ô Àü°ø Áö½ÄÀ» ½ÀµæÇÏ°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ

    °­ÀǸñÂ÷

    °­ÀǸí
    [±âº»] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º - ¼ÒÀÚ/°øÁ¤
    ¸ñÂ÷
    ³»¿ë ½Ã°£
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    [ÇÙ½ÉÀÌ·Ð] Energy band¿Í Fermi level 41ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    [ÇÙ½ÉÀÌ·Ð] Extrinsic semiconductor 27ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    [ÇÙ½ÉÀÌ·Ð] Current in semiconductor Á¾·ù, º¯È­, ±¸Çϱâ 27ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    [ÇÙ½ÉÀÌ·Ð] ½ÉÈ­ ÀÌ·Ð 20ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    [¼ÒÀÚ] p-n junction 1 : Depletion layer / Doping concentration¿¡ µû¸¥ º¯È­ 20ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    [¼ÒÀÚ] p-n junction 2 : ¿ÜºÎ Àü¾Ð¿¡ µû¸¥ p-n junctionÀÇ º¯È­ 19ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    [¼ÒÀÚ] p-n junction 3 : ¿ÜºÎ Àü¾Ð¿¡ µû¸¥ p-n junctionÀÇ º¯È­ (Àüü±¸°£) 30ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    [¼ÒÀÚ] MOSFET 1 : ±âº» ±¸Á¶ 31ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    [¼ÒÀÚ] MOSFET 2 : µ¿ÀÛ¿ø¸® 22ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    [¼ÒÀÚ] MOSFET 3 : ÃøÁ¤ 25ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    [¼ÒÀÚ] MOSFET 4 : Ư¼º ÀúÇÏ-1 20ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    [¼ÒÀÚ] MOSFET 5 : Ư¼º ÀúÇÏ-2 33ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    [¼ÒÀÚ] MOSCAP : Ideal / Real 28ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    [¼ÒÀÚ] Memory : Flash memory / RAM 37ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    [°øÁ¤] 8´ë °øÁ¤ °³¿ä ¹× Oxidation & CMP 22ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    [°øÁ¤] Photolithography °øÁ¤ÀÇ °³¿ä / Photo Mask / ¼ø¼­ ¹× ¼¼ºÎ ³»¿ë 31ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    [°øÁ¤] Doping & Plasma : Doping °øÁ¤ / Plasma 29ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    [°øÁ¤] Etching °øÁ¤°³¿ä, ºÐ·ù, Etch stop 25ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    [°øÁ¤] Thin film Deposition °øÁ¤ °³¿ä, ºÐ·ù 34ºÐ
    °­ÀǸí
    [¸éÁ¢] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º
    ¸ñÂ÷
    ³»¿ë ½Ã°£
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    Energy band¿Í ¿ÜºÎ Àü¾Ð¿¡ µû¸¥ p-n junctionÀÇ º¯È­ 23ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    MOSFET (1) 28ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    MOSFET (2) 21ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    ¹ÝµµÃ¼ 8´ë °øÁ¤ : °øÁ¤ È帧¿¡ µû¸¥ MOSFET Á¦ÀÛ °úÁ¤ 17ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    Photolithography °øÁ¤ ¼¼ºÎ ³»¿ë 25ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    Deposition °øÁ¤ ¼¼ºÎ ³»¿ë 26ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    Etching °øÁ¤ ¼¼ºÎ ³»¿ë / Plasma 21ºÐ
    º¸Ãæ°­ÀÇ
    Memory ¹ÝµµÃ¼ : NAND Flash / Ram 22ºÐ

    ¼ö°­Èıâ

    Áö±Ý º¸°í°è½Å °­ÀÇ´Â
    [Á¾ÇÕ] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º (ÀÔ¹®+±âº»)
    ÀÔ´Ï´Ù. °ü½É°­ÀÇ Àå¹Ù±¸´Ï
    ¼ö°­·á
    89,000¿ø
    Æ÷ÀÎÆ®Áö±Þ890Á¡
    ¼ö°­½Åû