¿À´Ã ¸ÕÀú GSAT¿¡¼´Â [Ã߸®] ½ÇÀü¸ðÀÇ°í»ç 1ȸ(2)¸¦ µé¾ú´Ù.
20¹ø ¹®Á¦ ºÎÅÍ 23¹ø¹®Á¦°¡ óÀ½¿¡ Ç®¶§ ´çȲÇß´Ù. óÀ½Á¢ÇÏ´Â ¹®Á¦¿©¼ Ǫ´Âµ¥ ½Ã°£ÀÌ Á¶±Ý ¼Ò¸ðµÆ¾ú´Ù.
ÇÏÁö¸¸ ¼±»ý´Ô°è¼ Çؼ³À» ÇØÁÖ½Å°É À̾߱⸦ µé¾îº¸´Ï ¸Å¿ì ½±°Ô Ç® ¼ö ÀÖ´Â °Í°°´Ù.
´õÇϱ⠻©±â ¾Æ´Ï¸é ¼ø¼º¯°æ ¹Û¿¡ ¾ø¾î¼ ÀÚÁÖÇ®¸é Àͼ÷ÇØÁú °Í °°´Ù.
¶Ç ¹®Á¦¸¦ Ç®¶§ A-z±îÁö ±×³É Âß ½á³õ°í Ǫ´Â ¹æ¹ýµµ ÆÁÀÌ µÇ¾ú´Ù.
±× µÞºÎºÐÀº °íµîÇб³¶§ ºñ¹®ÇÐ Áö¹®°ú ¸Å¿ì ºñ½ÁÇÑ °Í °°´Ù.
¿¾³¯ÀÇ °¨¸¸ ãÀ¸¸é ±Ý¹æ ´Ã ¼ö ÀÖÀ» °Í °°´Ù.
¹ÝµµÃ¼°ÀÇ¿¡¼´Â MOSFET (1), MOSFET(2)¸¦ ¼ö°ÇÏ¿´´Ù.
MOSFETÀº ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ²ÉÀ̶ó°í ÇÏ¿´´Ù.
MOSFETÀÇ µ¿ÀÛ¿ø¸®´ÂFOrward bias¸¦ °É¾î¼ ä³ÎÀ» Çü¼º ÇÑ µÚ SOurce·ÎºÎÅÍ Drain ±îÁö current°¡ È带 ¼ö ÀÖ°Ô ÇÏ´Â °ÍÀÌ´Ù
MOSFETÀÇ ¼º´ÉÀ» ÀúÇϽÃŲ µÎ°¡Áö ¿øÀÎ 1) TRap, 2) TDDB
SHort channel effect: mosfet °øÁ¤ÀÌ ¹Ì¼¼ÈµÉ¼ö·Ï ä³ÎÀÇ ±æÀÌ°¡ ª¾ÆÁö¸ç ÀÌ·Î ÀÎÇØ ³ªÅ¸³ª´Â Çö»óÀÌ´Ù.
1) Vth °¨¼Ò 2) HOt carrier effect 3) DIBL 4) Punchthrough
1ÁÖÀÏ µ¿¾È °ÀǸ¦ µé¾ú´Âµ¥ ¸Å¿ì ¾Ëá´Ù.
´ÙÀ½ÁÖ±îÁö ¿½ÉÈ÷µé¾î¼ ²À Ãë¾÷ÇÏ°Ú´Ù.
¡Ø ÇØÄ¿½ºÀâÀ¸·ÎºÎÅÍ ÀΰÀ» Á¦°ø¹Þ¾Æ ÀÛ¼ºµÈ ÈıâÀÔ´Ï´Ù.
¡Ø ÇØ´ç Èıâ´Â ÇØÄ¿½ºÀâ GSAT+¹ÝµµÃ¼ ºý¼¾½ºÅ͵𸦠ÅëÇØ ¼öÁýµÈ ÈıâÀÔ´Ï´Ù.