✍ GSAT Àΰ or GSAT ±³À縦 ¼ö°ÇÏ¸é¼ µµ¿òÀÌ µÇ¾ú´ø Á¡ ÀÛ¼º ÇØÁÖ¼¼¿ä
¡æ
GSAT °øºÎ´Â Á¦´ë·Î ÇÑÀûÀÌ Çѹøµµ ¾ø¾î¼ À̹ø±âȸ¿¡ ¾î¶²°ÍÀÎÁÙ Á¶±ÝÀº ¾Ë°ÔµÇ¾ú°í ¶ÇÇÑ NCS¿Í ¾î¶²´À³¦À¸·Î Â÷ÀÌ°¡ ÀÖ´ÂÁö ¾î·ÅDzÀÌ ¾Ë°ÔµÇ¾ú½À´Ï´Ù. È¥ÀÚ¼´Â ÇØ°á¿¡ ¸¹Àº½Ã°£ÀÌ µå´Â ¹®Á¦µé¿¡¼ ¼±»ý´ÔµéÀÇ ÆÁÀ» ÅëÇØ ½±°Ô Á¤·®ÀûÀÎ ¹æ¹ýÀ¸·Î Á¢±Ù ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù´Â °ÍÀÌ Å« µµ¿òÀÌ µÇ¾ú½À´Ï´Ù. ³²Àº °Àǵµ ¸¶Àú µé¾î¼ À¯Çüº° ÆľÇÀ» ÇÏ°í ½Í½À´Ï´Ù.
✍ ¹ÝµµÃ¼ Á÷¹« ÀΰÀ» ¼ö°ÇÏ¸é¼ µµ¿òÀÌ µÇ¾ú´ø Á¡À» ÀÛ¼º ÇØÁÖ¼¼¿ä
¡æ
¹ÝµµÃ¼ÀÇ °³³ä¿¡ ´ëÇØ ¹è¿òÀ¸·Î¼ ¹ÝµµÃ¼ ¾÷°è ÃëÁØÀ» À§ÇÑ ÀÔ¹®¿¡ µé¾î¿Â °Í °°½À´Ï´Ù.
óÀ½¹è¿î ¿øÀÚÀÇ ¹ß¶õ½º ÄÁ´ö¼Ç ¹êµå¿Í ÀüÀÚ È¦ÀÇ À̵¿ °³³ä°ú MOSFETÀ¸·Î ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ÀÇ °¥ÇǸ¦ ÀâÀº ´À³¦ÀÔ´Ï´Ù.
ÇÏÁö¸¸ ¾ÆÁ÷ ºÎÁ·ÇÏ´Ù°í ´À³¢°í ´õ ¹è¿ì°í ½Í´Ù´Â »ý°¢ÀÌ µå³×¿ä. »ï¼º »Ó ¾Æ´Ï¶ó ¹ÝµµÃ¼ Á÷±º Àüü¿¡ ÀڽۨÀÌ Á¶±Ý »ý±ä °Í °°½À´Ï´Ù.
³²Àº °úÁ¤µµ µè°í½Í½À´Ï´Ù..
Áú ÁÁÀº °ÀÇ Á¦°øÇØÁּż °¨»çÇÕ´Ï´Ù.
✍ ¾ÕÀ¸·Î GSAT µ¶ÇÐ Àü·« or Ãë¾÷ °èȹ¿¡ ´ëÇØ ÀÛ¼ºÇØÁÖ¼¼¿ä (ex. ÇϹݱ⠻Z Ãë¾÷ Ç÷£ / ÇϹݱ⠹ݵµÃ¼ Ãë¾÷ Ç÷£ µî..)
¡æ
±â»çÁغñ¿Í ¹ÝµµÃ¼°ü·Ã ¼ö¾÷ ¶Ç´Â ÇöÀå½Ç½ÀÀ» ã¾Æº¼ »ý°¢ÀÔ´Ï´Ù. ¶ÇÇÑ GSATÁغñµµ öÀúÈ÷ ÇÏ¸é¼ Ãë¾÷ ÄÚĪ Àü¹®°¡ µéÀÇ Çǵå¹éÀ» ¹ÞÀ¸·Á °è¼Ó ½ÃµµÇغ¼ »ý°¢ÀÔ´Ï´Ù. ±×¸®°í µ¶Ãë»ç ¶Ç´Â ÇØÄ¿½º °ÀÇ ±âȸ°¡ ´õ ÀÖ´Ù¸é º¸ÃæÇؼ µè°í ½Í½À´Ï´Ù. ¿©·¯ ±âȸ°¡ ÀÖ¾úÀ¸¸é ÁÁ°Ú½À´Ï´Ù.
✍ ÇØÄ¿½º ±è¼Ò¿ø/ ÇØÄ¿½º º¹ÁöÈÆ / ÇØÄ¿½º ±èµ¿¹Î ¼±»ý´ÔÀÇ GSAT °ÀÇ+¹ÝµµÃ¼ Àΰ¿¡¼ µµ¿òÀÌ µÇ¾ú´ø Á¡À» ÀÛ¼ºÇØÁÖ¼¼¿ä
¡æ
MOSFET(Metal Oxide semiconductor)
Compensated semiconductor
intrinsic ¹ÝµµÃ¼
Un-ionized
Quasi Fermi LV
shockley-Read -hall(SRH) recombination
regeneration
µî ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ¿©·¯ ¿ë¾î¿Í ±× Àǹ̸¦ ¾Ë ¼ö ÀÖ¾ú½À´Ï´Ù.