4일차 부터 전자, 전기, 재료 전공의 면접관련 강의인 김동민 선생님의 반도체 강의를 수강하면서 기계과인 저는 반도체의 공정 관련 이론 외에는 처음이었습니다. 그렇기 때문에 이해하는데 있어서 시간이 더 걸렸으며, 선생님께서 말씀하시는 대부분을 옮겨 적으며 강의에 참여하여 시간을 조금 더 썼습니다. 오늘도 마찬가지로 세부적인 부분에 대해서 진행하다 보니 짧은 시간동안 생소한 용어들을 이해하는 것 부터 과정들을 이해해야 했습니다. 그러하여 처음 과정을 캡쳐하게 되었으며, 더 많은 지식이 뒷받침 되어야 이해할 수 있다고 생각했습니다. 그래서 그러한 수업내용을 적겠습니다.
HKMG(High-k Metal Gate)의 도입 배경은 공정 미세화에 따라 Oxide의 두께가 감소했고 Oxide의 Capacitance가 유지( C=A/d) 그리고 Oxide의 두께가 감소하여 Tunneling, Leakage current 되었다. 후 두께, Capacitance를 만족하는 새로운 물질이 필요하다고 생각하여 HKMG가 개발되었다. 이 물질의 조건은 열적 안정성 즉, Si와 고온에서 반응하면 안됐고, High band gap energy, 전하에 따른 성능 저하가 유발 가능한 적은 결함이 필요하다. 그래서 High-k 물질은 Hfo2, Zro2가 있다.
이와 같은 이론들을 반복 학습하여 다음주 강의도 부족함 없이 참여하겠습니다.
GSAT 추리 영역의 두번째 강의를 듣고 전반적인 기초를 다질 수 있었습니다. 독학으로는 불가능한 부분들을 집어주시면서 자신감을 가질 수 있게된 시간이었고 재미를 주었습니다!
다음주도 열심히 참여하겠습니다.
※ 해커스잡으로부터 인강을 제공받아 작성된 후기입니다.
※ 해당 후기는 해커스잡 GSAT+반도체 빡센스터디를 통해 수집된 후기입니다.
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